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納米半導體摻雜鋁大大提高導電性

發布時間:2013-05-20 作者: 來源:科技部 瀏覽:2344

      納米電子學又前進了一步。一個德國馬克斯普朗克學會微結構物理學研究所參與的國際研究團隊發現了一個可以用來制作具有非常強導電性硅納米線的效應:利用鋁作為催化劑生成這類納米線。科學家們發現,硅在這一過程中吸收的鋁,大大超過了他們的預期。摻雜的鋁含量高,改善了納米線的導電性。這一效應可用來制造其他高摻雜性的納米材料。
      科學家們發現,硅在這時候吸收的鋁甚至能超過熱力學定律允許的1萬倍。根據熱力學定律,硅晶體通過摻雜被鋁原子取代的原子數連百萬分之一都不到。但事實上,經原子探針斷層掃描,該團隊的科學家發現,他們制作的摻雜鋁的硅納米線鋁含量高達約4%,而且鋁原子分布十分均勻。
      有關這一發現的論文發表于2013年4月4日的《Nature》。

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