9月1日電， 世界最大芯片生產(chǎn)商美國英特爾公司宣布，已采用最先進的65納米芯片制造工藝生產(chǎn)出了儲存量為70兆的靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）芯片。該公司同時宣布，下一代納米芯片制造技術(shù)水平將達到45納米。 　　作為半導(dǎo)體工業(yè)新技術(shù)商業(yè)化常用的測試元器件，靜態(tài)存取記憶器在邏輯制造方面的技術(shù)可以用于制造微處理器。英特爾稱，使用65納米制造工藝可將晶體管尺寸縮小約30％，從而可以在一塊芯片上集成更多晶體管。這種新工藝為英特爾將來推出多內(nèi)核電腦中央處理器芯片以及開發(fā)視頻和安全等方面的新功能奠定了基礎(chǔ)，它可以提高芯片性能，還具有節(jié)能等特點。美國俄勒岡州的芯片制造廠明年準備率先利用65納米新技術(shù)大規(guī)模生產(chǎn)芯片。 　　1納米等于1米的十億分之一。業(yè)內(nèi)人士認為，65納米芯片制造技術(shù)的成功將再次使英特爾芯片龍頭老大的地位更為穩(wěn)固。此前，不少芯片制造商試圖開發(fā)90納米與65納米尺度的芯片制造新技術(shù)，但終因成本昂貴不得不放棄。目前新一代的0.13微米，相當于130納米芯片試生產(chǎn)的成本就高達80萬美元。很少有集成電路方面的設(shè)計公司能承擔得起。 　　有關(guān)專家指出，利用納米新材料技術(shù)，芯片的集成度將再次出現(xiàn)倍數(shù)增長。英特爾的納米芯片新制造技術(shù)持續(xù)驗證了半導(dǎo)體界經(jīng)典的“摩爾定律”的有效性。“摩爾定律”曾由英特爾公司創(chuàng)辦人摩爾提出，即芯片的集成度每18個月就會增加一倍。在此之前，“摩爾定律”受到傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料極限的限制。