5月23日獲悉，中國(guó)科學(xué)院北京半導(dǎo)體研究所(ISCAS)采用他們提供的Thomas Swan MOCVD設(shè)備開發(fā)出世界首個(gè)近紫外波長(zhǎng)的半導(dǎo)體激光器。 據(jù)介紹，中科院半導(dǎo)體所2年前安裝此設(shè)備，主要用于GaN器件的研究。經(jīng)過2年多時(shí)間的努力，在集成光電子國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室楊輝教授的帶領(lǐng)和陳良惠教授帶領(lǐng)的另外一個(gè)組的配合下，他們成功開發(fā)了中國(guó)大陸第一個(gè)近紫外光的半導(dǎo)體激光器。這種激光器采用5周期InGaN/GaN 多量子阱結(jié)構(gòu)作為有源層，AlGaN/GaN超晶格作為包層，光波長(zhǎng)為410nm。