日前，中日科研機構通力合作，采用化學氣相沉積方法，在生長BN納米管的同時實現了F的均勻摻雜，獲得了N型的BN半導體納米管。 　　與碳納米管的電子結構明顯依賴于管徑與螺旋度等因素不同，BN納米管通常表現出穩定一致的電學特性。為實現對F摻雜BN納米管本征物性的研究，研究人員利用電子束光刻與Lift-off微加工技術，在分散提純的單根F摻雜BN上制作出用于輸運性質測量的微電極，研究了單根F摻雜BN納米管的電導特性，發現F摻雜實現了BN納米管從絕緣體向半導體的轉變，低于5%的F摻雜濃度使BN納米管的電導提高3個數量級以上。 　　研制單位：中國科學院物理所和日本物質材料研究機構