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新型半導體器件可在納米水平生成離子層 (2006-07-30)

發布時間:2007-12-04 作者: 來源:科技日報 瀏覽:1061
加拿大多倫多大學電氣與計算機工程系開發出一種比現今常規芯片表現更佳的新型半導體器件。據研究小組負責人特德?沙爾金教授介紹,該半導體器件的開發成功,首次使所謂的“濕”式半導體的性能超過了傳統的成本較高的晶體生長的半導體器件。7月13日出版的《自然》雜志對該項發現進行了報道。   傳統制造計算機芯片、光纖激光器、數字相機成像感應器的方法既費時,又耗能且成本還高,因為它們都要依賴在原子水平上生長晶體,這需要1000攝氏度以上的溫度環境。   而多倫多大學的研究人員在一個裝有超純油酸(橄欖油的主要成分)的燒瓶內加熱半導體離子,這種離子的直徑僅有幾個納米。然后研究人員將溶液放在一個帶有金電極的玻璃片上,使用一種旋轉噴涂工藝使溶液滴擴展成平滑、連續的半導體薄膜。待溶液蒸發后,就留下了800納米厚的光敏感納米離子層。   沙爾金教授介紹,在室溫下這種噴涂形成的光電探測器對紅外光的敏感度比現有的軍用夜視儀和生物醫學成像裝置高10倍,是一種特別敏感的光傳感器。現在證明溶液工藝電子學能夠將低成本和高性能結合在一起。   麻省理工學院的約翰?瓊那珀拉斯教授認為,多倫多大學的研究工作對基礎研究和工業化生產都非常重要,能夠實際制造出可用于短波紅外探測器和發射器的低成本、可噴涂、高性能的半導體器件,對通信、成像和監視技術的發展具有非常重要的意義。
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