近日，香山科學(xué)會議第317次學(xué)術(shù)討論會在北京香山飯店召開，會議主題是“納信息功能器件系統(tǒng)的關(guān)鍵科學(xué)問題和發(fā)展趨勢”。薛其坤院士、范守善院士和郭萬林教授擔(dān)任會議執(zhí)行主席。

　　與會專家指出，納尺度內(nèi)的奇異多場耦合效應(yīng)和量子效應(yīng)使傳統(tǒng)技術(shù)難以實現(xiàn)的信息功能和調(diào)控效果可以在納尺度容易地實現(xiàn)和突破。因此，利用納尺度下多場耦合規(guī)律發(fā)展新原理的信息功能核心器件，突破微硅技術(shù)的限制，不僅是交叉科學(xué)前沿問題，也日益成為納信息技術(shù)突破的關(guān)鍵。按照國際半導(dǎo)體協(xié)會發(fā)展趨勢預(yù)測，原有的半導(dǎo)體CMOS技術(shù)到2019年將趨向物理極限。因此，深入納尺度的后CMOS技術(shù)和非CMOS技術(shù)已被正式提出。與會專家認(rèn)為，由西方占據(jù)最核心的基本知識產(chǎn)權(quán)和統(tǒng)治地位的硅基微電子時代轉(zhuǎn)向新的目前尚不明確核心技術(shù)的納信息時代，是中國建立創(chuàng)新型國家、實現(xiàn)民族復(fù)興的重要機(jī)遇。
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