10月22日，被業(yè)界稱為未來(lái)電子技術(shù)??磁電子技術(shù)與器件產(chǎn)業(yè)化盛會(huì)的首屆國(guó)際磁電子器件及產(chǎn)業(yè)化研討會(huì)在京召開(kāi)。與會(huì)的國(guó)內(nèi)外院士和專家認(rèn)為：微電子工業(yè)的發(fā)展引發(fā)了世界第三次產(chǎn)業(yè)革命的浪潮，而磁電子器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化很有可能成為世界第四次產(chǎn)業(yè)革命的導(dǎo)火索。

　　磁電子學(xué)是一門以研究納米尺度范圍內(nèi)電子的自旋特性為主要內(nèi)容的交叉學(xué)科。它是磁學(xué)與微電子學(xué)相結(jié)合的產(chǎn)物。微電子材料與器件是二十世紀(jì)人類最偉大的創(chuàng)造之一，但是沒(méi)有利用電子自旋特性。磁電子技術(shù)采用磁電子材料制造全新的或者高性能的器件，與傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件相比，具有大幅度降低能量消耗、增加集成密度和提高數(shù)據(jù)處理速度等優(yōu)點(diǎn)。磁電子器件廣泛應(yīng)用于磁場(chǎng)感應(yīng)、高速信號(hào)耦合和數(shù)據(jù)存貯等領(lǐng)域。

　　在研討會(huì)上，專家介紹，巨磁電阻效應(yīng)的研究是磁電子學(xué)的一個(gè)重要內(nèi)容。巨磁電阻效應(yīng)就是指在一定的磁場(chǎng)下電阻急劇變化的現(xiàn)象。2007年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)授予巨磁電阻效應(yīng)薄膜材料發(fā)現(xiàn)者，以表彰他們對(duì)新材料與信息技術(shù)的發(fā)展所作出的杰出貢獻(xiàn)。

　　1998年美國(guó)制造出用于計(jì)算機(jī)硬盤(pán)的巨磁電阻傳感器，取代傳統(tǒng)磁頭，使計(jì)算機(jī)硬盤(pán)記錄密度提高了近千倍。2001年又研制出巨磁電阻磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，不僅提高了單位密度、讀寫(xiě)速度，并且數(shù)據(jù)永久不丟失；而2004年研制出巨磁電阻高速耦合器，成功應(yīng)用航空航天等領(lǐng)域，解決了光電耦合器速度低、不抗輻射等固有缺點(diǎn)。

　　目前，西方發(fā)達(dá)國(guó)家以巨磁電阻效應(yīng)薄膜材料制成的各類先進(jìn)磁傳感器件迅速走向商品化，在民用和軍事領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。美國(guó)國(guó)家納米技術(shù)計(jì)劃于2010年7月發(fā)布了《2020及未來(lái)納米電子器件發(fā)展》計(jì)劃，以制造革新性材料、器件、系統(tǒng)和結(jié)構(gòu)。該計(jì)劃確定了五大重點(diǎn)研究領(lǐng)域，第一個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域是“探索用于感應(yīng)的新技術(shù)，包括電子自旋器件、磁器件和量子細(xì)胞自動(dòng)機(jī)等”。

　　專家介紹，10多年來(lái)，我國(guó)高校與研究所從實(shí)驗(yàn)與理論兩方面開(kāi)展了磁旋電子學(xué)的研究工作，在SCI刊物上發(fā)表了千余篇論文，申報(bào)了近百項(xiàng)中國(guó)發(fā)明專利以及部分國(guó)外專利，在基礎(chǔ)研究方面取得了一些國(guó)際上認(rèn)可、有影響力的成果，但與發(fā)達(dá)國(guó)家還存在相當(dāng)大的差距。在產(chǎn)業(yè)化方面，我們更是落后于國(guó)外。

　　在研討會(huì)上，記者了解到，目前，我國(guó)已有了第一條磁電子器件生產(chǎn)線，已經(jīng)研制出高性能的巨磁電阻傳感器芯片，使我國(guó)磁電子器件的研究從實(shí)驗(yàn)室研究階段向產(chǎn)業(yè)化邁進(jìn)，有望緩解我國(guó)磁電子器件完全依賴進(jìn)口的局面。

　　首屆國(guó)際磁電子器件及產(chǎn)業(yè)化研討會(huì)由中國(guó)船舶重工集團(tuán)公司主辦，科技部等有關(guān)部門領(lǐng)導(dǎo)出席。來(lái)自中國(guó)、美國(guó)、英國(guó)、日本、韓國(guó)等世界一流的磁電子材料及器件專家、學(xué)者和企業(yè)界人士參加會(huì)議。