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硅表面生長納米激光器技術問世

發布時間:2011-02-18 作者: 來源: 瀏覽:297593

      據美國物理學家組織網近日報道,美國加利福尼亞大學伯克利分校科學家利用新技術直接在硅表面生長出了極微小的納米柱,形成一種亞波長激光器,這一成果將為制造納米光學設備如激光器、光源檢測儀、調制器、太陽能電池等帶來新的突破。
  加利福尼亞大學伯克利分校的研究人員通過金屬?有機化學蒸發沉積的方法,在400攝氏度條件下,用一種III-V族材料銦鎵砷在硅表面生長出納米柱。這種納米柱有著獨特的六角形晶體結構,能將光線控制在它微小的管中,形成一種高效導控光腔。它能在室溫下產生波長約950納米的近紅外激光,光線在其中以螺旋形式上下傳播,經過光學上的相互作用而得以放大。
  加州大學伯克利分校電學工程與計算機科學教授康妮?張-哈斯南指出,這種亞波長激光器技術將對多科學領域產生廣泛影響,包括材料科學、晶體管技術、激光科學、光電子學和光物理學,促進計算機、通訊、展示和光信號處理等領域光電子學的革命。“最終,我們希望加強這些激光的特征性能,以實現光子和電子設備的結合。” 

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