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新一期英國《自然?納米技術》雜志日前刊登報告說，單層的輝鉬材料顯示出良好的半導體特性，有些性能超過現在廣泛使用的硅和研究熱門石墨烯，可望成為下一代半導體材料。
與現在廣泛使用的硅材料相比，輝鉬具有兩個主要優點：一是達到同等效用的體積更小。只有0.65納米厚的輝鉬材料，電子在其中能像在2納米厚的硅材料中那樣自如移動，同時，現有技術還無法將硅材料制作得跟輝鉬材料一樣薄；二是能耗更低。據估計，輝鉬制成的晶體管在待機狀態下消耗的能量只是硅晶體管的約十萬分之一。
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