三星電子公司日前宣布，該公司已經(jīng)利用60納米技術(shù)開發(fā)出一款8GB的NAND閃存芯片，從而蕩平了通往16GB閃存設(shè)備的大道上的技術(shù)樊籬，此類設(shè)備有望來年面世。 　　與此同時，該公司還宣布了一項消息：該公司采用80納米技術(shù)，推出了世界首款2GB雙倍速DDR DRAM芯片，目前此類芯片廣泛應(yīng)用于計算機(jī)部件中。 　　8Gb NAND 閃存的問世使得在一塊存儲板卡上設(shè)計16GB存儲系統(tǒng)成為可能。16GB存儲空間的概念是：可以連續(xù)播放16小時高畫質(zhì)DVD或者是4000首(每首5分鐘)MP3歌曲的容量。 　　此類高集成度精密電路設(shè)計的關(guān)鍵在于三維單元晶體管結(jié)構(gòu)以及高度門絕緣技術(shù)，這樣可以將單元之間的干擾降到最低。此外，借助于廣泛使用的KrF微印技術(shù)，成本可以壓縮近一半。 　　三星電子半導(dǎo)體部總裁Hwang Chang-gyu說：“開發(fā)進(jìn)展表明，半導(dǎo)體容量還可以通過改進(jìn)設(shè)計及工藝而加以擴(kuò)大，而不是依靠單一的微處理技術(shù)”。 　　Hwang博士稱，業(yè)內(nèi)存儲密度經(jīng)歷了1999年的256MB、2000年的512MB、2001年的1GB、2002年的2GB、2003年4GB以及2004年的8GB一系列演化過程”。與著名的摩爾定律(稱計算機(jī)芯片的處理能力每隔18個月將翻倍)相對比，這種推論常被稱作“Hwang氏定律”。 　　三星公司預(yù)計在2005年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)這種2GB芯片。 　　他還預(yù)測到，來年全球半導(dǎo)體銷售增長速度將會在今年20%的增長速度基礎(chǔ)上有所放緩、成為10%。 　　上周，摩根斯坦利(Morgan Stanley)降低了其對2005年半導(dǎo)體業(yè)的預(yù)期，從原來預(yù)計的的13%到18%降低為8%到12%。