據海外媒體報道，英特爾公司日前宣布制造出首款采用45納米生產工藝的芯片。與65納米工藝相比，最新的45納米技術在晶體管密度上提高了兩倍，達到10億個，開關速度提高了20%，而功耗卻降低三成。　 　　據悉，英特爾的45納米工藝被命名為P1266，集成了銅互連(copper interconnects)、低K介電系數、應變硅(strained silicon)和技術特性。該公司計劃采用193納米“干式(dry)”光刻掃描器??而非沉浸式(immersion)工具，來制造45納米器件，這也超出了此前一些分析人士進行的預料。 　　英特爾工程師Mark Bohr稱，這些晶體管只有45納米見方，比紅血球還要小1,000倍左右。“采用45納米生產工藝后，我們可以在單位面積上放置兩倍數量的晶體管，并降低能耗。毫無疑問，這項技術將大幅度提升未來產品和平臺的性能。”　 　　英特爾還表示采用45納米工藝，已制造出153Mbit SRAM原型。該原型器件包含幾個元件，其中包括SRAM陣列、PROM陣列、鎖相環(PLL)、I/O、寄存器和分立測試結構。英特爾此項聲明顯示其45納米工藝已經上路，預計將于2007年下半年實現量產。