韓國開發3納米半導體技術 (2006-03-31)
發布時間:2007-12-04
作者:
來源:科技日報
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據《韓國經濟新聞》15日報道,韓國科學家成功開發出電路線寬只有3納米的半導體技術,有望使電腦運算速度提高20多倍。
報道說,韓國科學技術院教授崔養圭等人開發出的硅半導體電路線寬僅3納米,相當于成人頭發絲直徑的4萬分之一。這種半導體采用新型三維結構,可在常溫下保持良好的半導體功能。
科學家稱,該技術可應用于制造新一代電腦中央處理器、動態存儲器、靜態存儲器和閃存等。采用3納米半導體技術的中央處理器運算速度可達到100GHz,相當于現有產品的25倍。
此前,科學家認為利用硅材料只能制造出電路線寬最小5納米的半導體,并因此把硅半導體的最小集成規格限定為5納米。科學家預計,如果要制造小于5納米的半導體,必須采用碳納米管或分子材料。崔養圭等開發出的3納米硅半導體打破了這一看法。